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深圳市中平科技有限公司
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晶体管，英飞凌IGBT芯片能达到电压650V 1200V 电流40A 50A 75A 100A 120A 140A 150A
发布时间： 2024/8/14 16:42:20 | 23 次阅读
IGBT是一种重要的功率半导体器件，全称为Insulated Gate Bipolar Transistor，中文全名为绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的功率半导体器件，集合了二者的优点，具有高电压承受能力和低开关损耗的特点。IGBT芯片在电力电子领域有着广泛的应用，成为现代电力控制系统中不可或缺的关键元件。
IGBT芯片的结构由NPN型双极晶体管和PNP型双极晶体管组成，中间通过绝缘栅层隔离。这种结构使得IGBT既具备了MOSFET的高输入阻抗和低驱动功率的优势，又拥有BJT的高电流承受能力和低导通压降的特点。IGBT芯片的控制端由绝缘栅极组成，可以通过控制栅极电压来控制IGBT的导通和截止。这种特性使得IGBT芯片在高压大电流的应用中具有重要的地位。
